Atomera的GaN-on-Si技术概念成功进入PowerAmerica提案阶段

半导体材料与技术授权公司Atomera Inc（总部位于美国加利福尼亚州洛斯加托斯）宣布，其关于氮化镓硅基（GaN-on-Si）技术的概念文件已获批准，正式进入PowerAmerica研究所发起提案（IIP）的提案阶段，旨在推动宽禁带（WBG）功率半导体技术的发展。

该文件提出与多家行业及科研机构展开合作，详细阐述了Atomera的Mears硅技术（MST）在GaN材料质量方面相较于标准硅基GaN薄膜所实现的改进。

一旦通过提案阶段的审批，该项目将有资格获得PowerAmerica的资金支持，使Atomera得以借助MST技术进一步优化并扩大GaN-on-Si的制造规模。这一方案的目标是改进GaN制造工艺，提升晶圆级良率与器件级性能，从而更好地服务于功率电子领域。

"复合半导体，尤其是氮化镓，对宽禁带半导体的持续发展至关重要，"Atomera首席执行官Scott Bibaud表示，"目前面临的主要挑战之一是良率偏低，导致制造成本高昂、效率低下。Atomera正在积极利用MST技术提升晶圆级良率、降低芯片成本，以推动GaN的更广泛应用。"

PowerAmerica的使命是加速WBG功率半导体技术的商业化与普及，这类技术能够使电子元器件比传统硅基器件更小、更快、更高效。Atomera表示，参与该计划彰显了其在创新方面的坚定承诺，以及与业界领先企业和学术机构深化合作的决心。

Q&A

Q1：Atomera的MST技术在GaN-on-Si领域有哪些具体改进？

A：Atomera的Mears硅技术（MST）主要针对GaN材料质量进行了优化，相较于在标准硅上形成的GaN薄膜，MST能够有效提升晶圆级良率和器件级性能。这一改进有助于降低GaN器件的制造成本，使其在功率电子领域得到更广泛的应用。

Q2：PowerAmerica是什么机构，为什么Atomera要参与其中？

A：PowerAmerica是一个致力于加速宽禁带（WBG）功率半导体技术商业化与普及的机构，其目标是推动电子元器件向更小、更快、更高效的方向发展。Atomera参与该计划，一方面是为了争取项目资金支持，进一步扩大GaN-on-Si的制造规模，另一方面也体现了其与行业及学术合作伙伴协同创新的战略方向。

Q3：GaN-on-Si技术目前面临的最大挑战是什么？

A：据Atomera首席执行官Scott Bibaud介绍，GaN-on-Si技术当前面临的主要挑战是良率偏低，导致制造过程成本高昂且效率不足。这一问题限制了GaN器件的大规模商业化应用。Atomera正积极通过MST技术来提升晶圆级良率，并降低芯片成本，以期推动GaN在更广泛市场中的落地。