HBM研究框架：突破“内存墙”，封装新突破

HBM技术通过提升I/O口数量和速率，突破内存限制，成为AI芯片的强大辅助。HBM3和HBM3e将成为AI服务器主流配置，预计HBM4将于2026年发布。全球HBM市场预计在2024年超百亿美元。HBM采用TSV+Bumping和TCB键合方式，但散热效率低下，海力士引入MR-MUF工艺改善。预计HBM4将采用混合键合Hybrid Bonding技术，3D封装的核心是混合键合与TSV。

HBM突破“内存墙”,实现高带宽高容量，成为Al芯片最强辅助，我们认为HBM将持续迭代，1/0口数量以及单1/0口速率将逐渐提升，HBM3以及HBM3e逐渐成为Al服务器主流配置，且产品周期相对较长，单颗容量及配置颗数逐步增加，预计HBM4于2026年发布。2024年全球HBM市场有望超百亿美元，市场空间足，国产供应链加速配套。

当前HBM采用“TSV+Bumping”+TCB键合方式堆叠，但随着堆叠层数的增加散热效率很差，TCB不再满足需求，海力士率先引入MR-MUF回归大规模回流焊工艺，芯片之间用液态环氧模塑料作为填充材料，导热率比TC-NCF中的非导电薄膜高很多，但海力士也预计HBM4会引入混合键合Hybrid Bonding方案，取消互连凸块。

混合键合与TSV是3D封装的核心，HBM“连接”与“堆叠”带来设备材料端发展新机遇：混合键合分为晶圆对晶圆W2W和芯片对晶圆D2W,3D NAND使用W2W,典型案例为长鑫存储的Xstacking,CMOS层+存储层采用W2W混合键合方案，预计HBM未来亦会采用W2W方案，W2W与D2W方案相比一般应用于良率非常高的晶圆，避免损失。

1、HBM—突破“内存墙”

HBM研究框架：突破“内存墙”，封装新突破