HBM突破“内存墙”,实现高带宽高容量,成为Al芯片最强辅助,我们认为HBM将持续迭代,1/0口数量以及单1/0口速率将逐渐提升,HBM3以及HBM3e逐渐成为Al服务器主流配置,且产品周期相对较长,单颗容量及配置颗数逐步增加,预计HBM4于2026年发布。2024年全球HBM市场有望超百亿美元,市场空间足,国产供应链加速配套。
当前HBM采用“TSV+Bumping”+TCB键合方式堆叠,但随着堆叠层数的增加散热效率很差,TCB不再满足需求,海力士率先引入MR-MUF回归大规模回流焊工艺,芯片之间用液态环氧模塑料作为填充材料,导热率比TC-NCF中的非导电薄膜高很多,但海力士也预计HBM4会引入混合键合Hybrid Bonding方案,取消互连凸块。
1、HBM—突破“内存墙”
2、Al算力快速迭代,HBM为最强辅助
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