2026英飞凌宽禁带论坛在深圳举行

宽禁带半导体正加速推动能源转型和产业升级。

伴随新能源汽车加速发展、AI算力需求激增，以及能源结构向绿色低碳转型，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体，凭借高效率、高功率密度等优势，正加速在电动汽车、光伏储能、AI数据中心等应用场景落地。顺应这一趋势，2026英飞凌宽禁带论坛于5月21日在深圳举行，汇聚产业链上下游伙伴，共探技术演进、应用创新与生态协同。

市场持续增长，宽禁带进入规模化拐点

宽禁带半导体市场近年来保持高速增长，据QYResearch预测，2025年至2031年间，宽禁带功率半导体器件市场年均复合增长率（CAGR）可达21%。关键增长动力包括：电动汽车的普及、800V超快充基础设施的建设、数据中心能效升级，光伏储能等新能源电力系统对高压、高效功率器件的强劲需求等。

2026英飞凌宽禁带论坛在深圳举行

2026英飞凌宽禁带论坛现场

开幕致辞环节，英飞凌科技全球高级副总裁及大中华区总裁、英飞凌消费、计算与通讯业务大中华区负责人潘大伟及英飞凌科技执行副总裁兼工业与基础设施业务首席销售官Andreas Weisl围绕宽禁带半导体产业发展、市场趋势、赋能本土客户等话题展开了深入对话。

潘大伟表示：“宽禁带半导体正加速推动能源转型和产业升级。中国在新能源汽车、可再生能源、AI数据中心、人形机器人等新兴领域正加速发展，为宽禁带技术的多元应用和持续创新提供了广阔空间。英飞凌依托全球领先的技术积累与广泛的本土生态合作，为本土客户提供定制化的系统级解决方案，助力客户实现更高效、更可持续的发展。”

Andreas Weisl表示：“以SiC和GaN为代表的宽禁带技术，正在重新定义功率半导体在能效、功率密度和系统性能方面的边界。未来中国宽禁带半导体领域将迎来更多技术创新，英飞凌作为功率系统领域的领导者，全面覆盖关键材料和技术，将通过持续创新为客户增加价值，助力宽禁带技术走向多元化应用，为行业低碳转型提供坚实支撑。”

2026英飞凌宽禁带论坛在深圳举行

英飞凌科技全球高级副总裁及大中华区总裁潘大伟(左)与英飞凌科技执行副总裁兼工业与基础设施业务首席销售官Andreas Weisl(右)在论坛

技术：聚焦电网转型、AI电源与宽禁带创新

未来电力网络正经历深刻变革。可再生能源装机的快速增长与电动出行的加速普及，对电力供应及能效管理提出了全新挑战。英飞凌科技碳化硅创新与产业化Fellow Peter Friedrichs博士围绕下一代电网转型，深入剖析了大容量储能系统对高压半导体高效能量转换方案的迫切需求，并系统介绍了英飞凌先进的碳化硅解决方案。英飞凌科技AI与电源应用副总裁Sergio Rossi博士则重点探讨了氮化镓在AI数据中心、人形机器人及电动出行等领域的独特优势，展示了其如何推动更高性能、更高能效的系统设计，赋能未来智能应用。

此外，Yole Group 化合物半导体领域首席分析师邱柏顺从产业视角，深入解读了碳化硅与氮化镓在几个热点新兴领域的应用特点及优势。同时，来自能源基础设施、AI数据中心、电动交通出行、机器人等应用领域的客户、合作伙伴与英飞凌专家，也分别剖析了SiC/GaN技术在多元场景的落地实践与融合发展，深度解读了跨界协作如何激发行业创新动能。

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2026英飞凌宽禁带论坛展区

四大展区亮点纷呈

论坛同期设有“能源基础设施”、“AI数据中心”、“机器人” 、“电动交通出行”四大核心展区，综合展示了40余款来自英飞凌及与合作伙伴开发的创新产品和解决方案。

能源基础设施展区：展出了基于QDPAK 封装的1200V CoolSiC™ JFET工艺，拥有极低的导通损耗、出色的关断能力和高可靠性，可在工业和汽车应用中实现可靠、高效的系统性能。而在传统的光伏逆变器领域，展出了一款全氮化镓3kW HERIC光伏逆变器参考设计，结合自研 TCM/CCM 混合调制技术，具备双向能量流动能力，适配混合式储能逆变器。

电动交通出行展区：重点展示基于第三代HPD封装的HybridPACK™ Drive G3S新一代功率模块，体积较上一代缩小约40%，并支持最高600Arms电流输出，具备更高功率密度与可靠性。同时，基于BDS GaN的单级6kW车载充电（OBC）方案，凭借超过97%的平均效率、更高功率密度及轻量化设计，进一步推动电动汽车充电系统向高效、小型化发展。

AI数据中心展区：展出面向高性能计算的18kW三相输入电源方案，输出电压50V，效率达约5%，兼具高效率与高功率密度。该方案基于碳化硅五电平ANPC拓扑，结合能量缓冲电路与LLC谐振变换器，采用氮化镓同步整流及平面变压器架构，由新一代PSOC™ P8 MCU控制，充分满足AI服务器及数据中心对高效率、高可靠性供电的需求。