三星Sun联合开发新NAND闪存芯片 寿命性能提高

　　CNET科技资讯网7月21日国际报道 三星和Sun本周公布了8GB单层单元NAND闪存，这种闪存寿命以及性能有了很大的提高。

　　与传统的单层单元闪存产品相比，新型闪存数据读取与擦写寿命增加了5倍。

　　目前，三星和Sun尚未公布此产品的价格与上市日期。

　　Sun高级主管Graham Lovell透露，这款闪存兼容Sun服务器与存储产品，Sun还计划在今年年底推出自己的固态硬盘技术。

　　三星方面预计，新型闪存将被企业应用于高端数据处理，数据密集处理的服务器及存储设备当中。分析师表示，企业用户将很快将闪存硬盘列为传统硬盘的替代产品。

　　IDC分析师Jeff Janukowicz说，和传统硬盘相比，固态硬盘的价格仍然比较高，这是企业仍然没有大规模采用闪存硬盘的一个主要原因。