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Intel在位于华盛顿特区的经济俱乐部召开记者招待会表示,将在今年年底前投入70亿美元(约6300亿日元)用于32nm制程工艺的研究和开发,并预计明年这一投资将增加到80亿美元(约7200亿日元)。
Intel首席执行官Otterini先生(中间)出席了华盛顿特区的经济俱乐部记者招待会。左右分别为俄勒冈州上院议员和加利福尼亚州下院议员(点击放大)
除此之外,Intel还表示将在第四季度前投入生产包括集成GPU双处理器、CPU采用32纳米技术的Clarkdale/Arrandale两款产品。
Intel CEO宣布加强在32nm技术上的投资
Intel CEO Otterini表示,Intel今年将在32nm制成工艺上加大投资和积极展开工厂建设,这也是Intel在美国方面投资处理器技术力度最大的一次。Otterini表示:“到今年年末之前Intel将投入70亿美元用于32nm制程工艺的研究开发和工厂建设。”他指出了现在Intel面临的严峻形势,并表示这种情况下积极投资的决心。
同时他还表示:“现在美国确实处于一个非常严峻的形势下,而Intel将在当前情况下采取一种主动出击的姿态。”
今年第四季度将实现32nm产品量产
Intel负责逻辑技术开发的Bohr表示:“目前Intel的32nm技术开发一切顺利。预计到今年第四季度就可以实现32nm成品的量产。”
据Bohr表示,即将推出的32nm制程工艺将采用第二代High-K和金属栅极晶体管技术,9个金属铜和Low-K互联层,无铅无卤素,核心面积可比45nm减小大约70%,性能将提高22%。
不仅仅是CPU,这项技术还将被用于基于Atom的SoC产品中,预计代号为P1268的CPU和代号为P1269的SoC都将采用32nm技术。为了完成处理器产品向32nm技术的过渡,英特尔未来两年内将有四座晶圆芯片生产厂投入使用。位于俄勒冈州的D1D芯片厂目前已经投入使用,同样位于俄勒冈州的D1C芯片厂将于2009年第四季度投入使用。2010年,英特尔将再建两座制造工厂,位于亚利桑那州的Fab 32生产厂和位于新墨西哥州的Fab 11X生产厂。
展示32nm制程工艺的幻灯片。32nm制程工艺将采用第二代High-K和金属栅极晶体管技术,9个金属铜和Low-K互联层,无铅无卤素,核心面积可比45nm减小大约70%(点击放大)
展示32nm工艺规则的性能的幻灯片。32nm工艺NMOS的导通电流增大了14%,截止电流降到了1/5以下,PMOS的导通电流增大了22%(点击放大)
展示32nm工艺产量快速增长的幻灯片。预计32nm和45nm的交替升级周期为两年(点击放大)
不仅仅是CPU,32nm工艺还将被用于基于Atom的SoC产品中(点击放大)
32nm SoC计划,CPU的P1268和SoC的P1269将采用32nm工艺(点击放大)
32nm处理器将在这四个工厂生产(点击放大)
Clarkdale/Arrandale计划逐渐明朗化双核Clarkdale及Arrandale取代Havendale和Auburndale(点击放大)
Nehalem/Westmere用户路线图(点击放大)
Intel Xeon企业路线图(点击放大)
之前的北桥技术被用于Clarkdale/Arrandale CPU中(点击放大)
展示Clarkdale/Arrandale内部构造的幻灯片。Clarkdale和Arrandale采用多芯片封装(MCP)的形式,有两个核心基板(点击放大)
Westmere将加入七条新指令集,其中六条AES用于加密、解密算法的加速(点击放大)
详细介绍Clarkdale/Arrandale(点击放大)
Intel展示Clarkdale/Arrandale实际运行情况 强调32nm技术进展顺利Intel数字企业事业本部副总裁Stephen L Smith手持Clarkdale/Arrandale,上面两个辅助基板清晰可见
Clarkdale/Arrandale被放入台式机和笔记本电脑中进行展示
运行Clarkdale的主板