英特尔率先采用阿斯麦高NA EUV技术量产芯片

英特尔公司已开始使用阿斯麦（ASML）最新一代光刻设备进行处理器生产。

这一重要进展由阿斯麦于近日公布，消息发布时间恰与该公司季度财报同步，且财报各项数据均超出市场预期。

光刻机通过光束将晶体管图案刻蚀到硅晶圆上。阿斯麦是全球最大的光刻设备供应商。该公司宣布，英特尔已开始使用其最新一代光刻设备——TwinScan EXE系列——进行芯片生产。

光刻机的核心性能指标之一是数值孔径（NA），用于描述系统发射光束的角度范围。NA数值越大，系统所能制造的晶体管尺寸就越小，而更小的晶体管意味着芯片的速度更快、能效更高。

阿斯麦EXE系列设备的NA值比上一代产品提升了51%，这种高NA EUV架构使其能够实现8纳米分辨率的硅片图案刻蚀，而此前的设备只能达到13纳米。

英特尔两年前在美国俄勒冈州希尔斯伯勒工厂安装了EXE:5000设备，随后又引入了性能更强的EXE:5200B，并于去年12月完成了后者的验收测试。

EXE:5000与EXE:5200B均通过气化微小铅滴产生激光，但EXE:5200B凭借升级后的光学组件大幅提升了效率，因此每小时可处理更多晶圆，同时具备更高的刻蚀精度。

现代处理器由数十层结构组成，各层分别使用不同的光刻设备制造。据阿斯麦介绍，英特尔正在使用EXE系列生产其最新Intel 18A制程中的部分层级，但双方均未透露更多细节。通常情况下，晶圆厂会将高端光刻设备用于最复杂的层级制造，其余层级则使用较低端的设备完成。

目前，英特尔正利用基于EXE系列的生产线，批量生产部分Intel酷睿Ultra 3系列笔记本处理器。该系列中最高端的芯片搭载12核中央处理器、12核图形处理器以及AI加速器。

英特尔代工部门执行副总裁兼总经理纳加·钱德拉塞卡兰表示："通过在英特尔18A产品的特定层级上验证高NA EUV工艺选项，我们现有的设备已为客户带来更高的产出，同时我们也在为未来节点开发新的方案，以实现领先的性能、密度和制造灵活性。"

阿斯麦在发布上述消息的同时，也公布了第二季度业绩。截至6月28日的三个月内，公司销售额达93亿欧元，远超分析师预期的88亿欧元，净利润29亿欧元同样超过市场一致预期。

展望下半年，阿斯麦预计市场对其设备的强劲需求将持续。公司将全年营收指引上调至430亿至450亿欧元，区间上限较此前提高了50亿欧元。此外，阿斯麦还宣布计划在未来两年内，每年将部分生产线的制造产能提升30%。

Q&A

Q1：英特尔采用的高NA EUV技术比上一代有什么具体提升？

A：阿斯麦EXE系列设备的数值孔径（NA）比上一代提升了51%，刻蚀分辨率从13纳米提升至8纳米。更高的NA值意味着可以制造更小的晶体管，从而生产出速度更快、能效更高的芯片。EXE:5200B还升级了光学组件，每小时可处理更多晶圆，并具备更高的刻蚀精度。

Q2：英特尔用高NA EUV技术生产的是哪款芯片？

A：英特尔目前使用EXE系列光刻设备，批量生产部分Intel酷睿Ultra 3系列笔记本处理器，该系列顶配芯片搭载12核CPU、12核GPU以及AI加速器。此外，英特尔也在将该技术应用于Intel 18A制程的部分层级生产，但具体细节未对外公布。

Q3：阿斯麦第二季度财报表现如何？

A：阿斯麦2025年第二季度销售额达93亿欧元，超出分析师预期的88亿欧元；净利润为29亿欧元，同样高于市场预期。受强劲需求推动，公司将全年营收指引上调至430亿至450亿欧元，并计划未来两年每年将部分生产线产能提升30%。