台积电亚利桑那州晶圆厂追加1000亿美元投资，二季度业绩亮眼

台湾积体电路制造股份有限公司（台积电）今日公布第二季度业绩，各项指标均大幅超出分析师预期。

与此同时，台积电还宣布将大规模扩建其在亚利桑那州的晶圆厂园区，计划以1000亿美元的投资额再建至少四座新厂，届时该公司在该地点的累计投资总额将达到2650亿美元。

本季度台积电净利润同比激增77%，达到7065.6亿新台币，约合218.9亿美元，远超分析师预期的6326.4亿新台币。利润大幅增长的部分原因在于营收同比提升36%。台积电当季营收达394.5亿美元，略高于市场普遍预期。

从营收构成来看，约三分之二来自高性能计算业务板块，涵盖数据中心芯片。该板块也是台积电核心业务中增速最快的，季度环比增长20%。智能手机芯片业务作为第二大营收来源，则环比下滑4%。

台积电采用7纳米及以下先进制程的晶圆营收占比高达77%。其中，5纳米制程最受市场青睐，占营收比例达33%。台积电去年推出的最新2纳米制程（N2节点）目前仅贡献约2%的营收，但这一比例预计将在未来数年内显著提升。

台积电计划在亚利桑那州新建的四座晶圆厂中，有两座将采用2纳米及以下制程，并与去年已开工建设的第三座N2晶圆厂协同运营。

N2是台积电首个采用全环绕栅极（GAA）晶体管架构的制程节点，该设计相比此前架构显著提升了功耗效率，并为芯片工程师提供了更多定制化空间。此外，N2还引入了一种名为MIM电容的微型储能元件，用于优化芯片内部的电流传输。

台积电计划推出多个2纳米制程版本：面向数据中心应用的N2X版本功耗更高、性能更强；今年4月，台积电还发布了专为汽车行业设计的N2A版本。

亚利桑那州另外两座新建工厂将专注于先进封装组件的生产，即可将多个硅片集成于单一处理器的模块化技术。台积电目前尚未披露将在这两座工厂生产哪些具体封装产品。

台积电封装技术组合的核心产品包括SoIC和CoWoS两大技术。SoIC通过垂直堆叠方式将多个小芯片互联；CoWoS则将硅片并排放置于共享基板上实现互联。今年早些时候，台积电预告了CoWoS的新一代升级版本，可支持多达10颗大型计算芯片与20组HBM内存堆栈的互联。

在下一代制程路线图方面，台积电也在同步推进多项技术。明年，台积电将发布1.6纳米制程节点，该节点将供电电路置于晶体管下方以进一步提升芯片能效，并将依次推出A14和A12两款后续制程。

为支撑上述技术路线图的落地，台积电宣布将大幅提高资本支出。公司今日披露，2026年资本支出计划区间为600亿至640亿美元，较此前预计的520亿至560亿美元大幅上调。此外，台积电还将全年营收增长指引上调至略超40%。

Q&A

Q1：台积电亚利桑那州晶圆厂总投资额是多少？

A：台积电此次宣布追加1000亿美元投资，计划在亚利桑那州新建至少四座晶圆厂，使该地点的累计总投资额达到2650亿美元。其中两座新厂将采用2纳米及以下先进制程，另外两座专注于先进封装组件生产。

Q2：台积电N2制程和N2X、N2A有什么区别？

A：N2是台积电首个采用全环绕栅极（GAA）晶体管架构的制程，主打功耗效率提升与更多定制化选项。N2X是面向数据中心的高性能版本，功耗更高但性能更强；N2A则是今年4月专为汽车行业发布的专用版本，三者面向不同的应用场景。

Q3：台积电2026年的资本支出计划是多少？

A：台积电宣布2026年资本支出计划区间为600亿至640亿美元，相比此前预计的520亿至560亿美元大幅上调，用于支持包括1.6纳米制程及后续A14、A12节点在内的先进技术路线图落地。